[HW]스팬션, 110nm 미러비트 고용량 메모리제품 개발

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AMD와 후지쯔의 플래쉬 메모리 자회사인 스팬션은 대만 TSMC와의 계약을 통해 스팬션이 자체적으로 생산해왔던 110nm 미러비트 기술기반 NOR형 플래시 메모리 제품의 증산에 나선다고 발표했다.

플래쉬 메모리 회사인 스팬션은 대만 TSMC와의 계약을 통해 스팬션이 자체적으로 생산해왔던 110nm 미러비트 기술기반 NOR형 플래시 메모리 제품의 증산에 나선다고 발표했다.

수탁가공 계약에 따라 TSMC는 스팬션의 110nm 미러비트 기술이 적용된 GL, PL 및 WS 계열의 와이어리스 제품군 및 GL 계열의 임베디드 제품군을 공급하기 위한 생산설비를 제공하게 된다.

TSMC는 스팬션의 110nm 공정기술을 적용한 생산라인은 스팬션 제품의 전용으로만 사용하게 된다. 스팬션의 110nm 미러비트 제품은 200mm 웨이퍼 가공 라인에서 생산될 개시할 예정이며, 2006년 2분기에 첫 제품 출시를 목표로 하고 있다.

스팬션의 CEO인 버틀란드 캠보우 박사는 "TSMC와의 파트너쉽을 통해 스팬션의 생산능력을 더욱 확대시킴과 동시에 차세대 기술로의 이전을 가속화시킬 수 있게 됐다”라며 “양사간의 협력을 통해 플래시 메모리 분야에서 강력한 경쟁력을 확보할 수 있게 되었으며, 스팬션의 미러비트 기술에 대한 고객들의 수요에 보다 유연하게 대처할 수 있게 됐다”고 말했다.

TSMC의 릭사이 대표는 "스팬션은 성장하고 있는 플래시 메모리 분야의 혁신적인 리더”라고 평가하며 “TSMC의 생산 능력과 스팬션의 뛰어난 기술력이 결합, 강력한 윈-윈 효과를 창출할 수 있을 것”이라고 말했다.

 

 

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